Bạn đang xem giá, tồn kho tại:

Hotline HN: 0969.120.120 - SG: 0965.123.123 - ĐN: 096.123.9797 - CSKH Online 037.462.9999 - 096.539.7966

IBM và Samsung công bố tạo ra bóng bán dẫn mới cho chipset

IBM và Samsung công bố tạo ra bóng bán dẫn mới cho chipset trong hội nghị IEDM ở San Francisco. Có khả năng cải thiện hiệu năng và hiệu suất năng lượng.

Sản phẩm bán chạy: iPhone XR cũ

Trên Engadget - một mạng blog công nghệ về các thiết bị điện tử tiêu dùng, đã đăng tải, IBM và Samsung đã công bố trong hội nghị IEDM ở San Francisco đã tiết lộ một bước đột phá trong thiết kế bán dẫn bằng cách tiết lộ một thiết kế mới để xếp chồng các bóng bán dẫn theo chiều dọc trên một con chip.

Trong các loại bóng bán dẫn hiệu ứng trường (VTFET) mới, các bóng bán dẫn nằm vuông góc với nhau và dòng điện chạy qua chúng theo phương thẳng đứng. Đối với những người không biết, trong các bộ xử lý hiện tại và hệ thống trên chip, các bóng bán dẫn nằm phẳng trên bề mặt và dòng điện chạy từ bên này sang bên kia.

hung-IMB-samsung
Ảnh minh họa (nguồn Gizmochina)

Loại bóng bán dẫn mới này có thể cho phép mật độ các thành phần này trên mỗi chip lớn hơn so với các chip hiện có. Do đó, có khả năng cải thiện hiệu suất hoặc hiệu suất năng lượng.

Với thiết kế mới này, IBM và Samsung hy vọng sẽ mở rộng Định luật Moore vượt ra ngoài ngưỡng của tấm nano và lãng phí ít năng lượng hơn. Các công ty trên cũng nói rằng nó sẽ tăng gấp đôi hiệu suất hoặc sử dụng ít năng lượng hơn 85% so với các chip được thiết kế với bóng bán dẫn FinFET.

Tuy nhiên, IBM và Samsung không phải là những người duy nhất làm việc trên các loại bóng bán dẫn mới này. Gã khổng lồ chipset Intel cũng đang thử nghiệm với các chip xếp chồng lên nhau để tiết kiệm diện tích, giảm độ dài kết nối và tiết kiệm năng lượng để làm cho chip tiết kiệm chi phí hơn và hoạt động tốt hơn. Intel đặt mục tiêu hoàn thiện thiết kế cho các chip quy mô angstrom (nhỏ hơn 10 lần so với nano mét) vào năm 2024 bằng cách sử dụng nút “Intel 20A” mới và các bóng bán dẫn RibbonFET.

Ý kiến